一、背景介紹
當(dāng)前,由美國(guó)開啟的“硅基微電子時(shí)代”相對(duì)成熟,但中國(guó)在基于硅基CMOS技術(shù)的傳統(tǒng)芯片產(chǎn)業(yè)一直被西方“卡脖子”。碳基半導(dǎo)體被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代的顛覆性技術(shù)之一,也是我國(guó)唯一在半導(dǎo)體領(lǐng)域突破點(diǎn)!
碳基半導(dǎo)體是一種在碳基納米材料基礎(chǔ)上發(fā)展的,以碳納米管(CNT)、石墨烯為代表的半導(dǎo)體材料。ITRS研究報(bào)告曾明確指出,未來半導(dǎo)體行業(yè)的研究重點(diǎn)應(yīng)聚焦于碳基電子學(xué)。同時(shí),碳基材料的技術(shù)突破也為柔性電子提供了更好的材料選擇。
另外,以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體正在憑借優(yōu)秀的材料特性迅速崛起,成為"十四五"規(guī)劃中重點(diǎn)發(fā)展的方向和如期實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和的重要抓手,在高頻高功率應(yīng)用、市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大,正成為全球半導(dǎo)體行業(yè)的研究熱點(diǎn),現(xiàn)代工業(yè)中的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,廣泛用于光伏發(fā)電、半導(dǎo)體、消費(fèi)電子、高度創(chuàng)新的芯片半導(dǎo)體、5G通信、通訊衛(wèi)星及軍用雷達(dá)等高新技術(shù)領(lǐng)域。
但現(xiàn)階段,碳基半導(dǎo)體如何從實(shí)驗(yàn)室的“玻璃房”走出,將自身的潛力真正發(fā)揮出來,仍然是業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點(diǎn)與面臨的難點(diǎn)。其應(yīng)用探索至關(guān)重要!
二、組織機(jī)構(gòu)
主辦單位:DT新材料
承辦單位:寧波德泰中研信息科技有限公司
支持單位:中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
寧波晶鉆工業(yè)科技有限公司
支持媒體:Carbontech、DT半導(dǎo)體材料、TechWeb、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、全球
半導(dǎo)體觀察、化合物半導(dǎo)體、芯師爺、半導(dǎo)體芯科技、電巢、半導(dǎo)體
行業(yè)觀察、活動(dòng)家、《半導(dǎo)體技術(shù)》、《微納電子技術(shù)》
三、會(huì)議信息與論壇亮點(diǎn)
論壇時(shí)間:2022年5月14日(暫定)
論壇地點(diǎn):浙江·寧波
論壇目的:以碳基半導(dǎo)體為切入點(diǎn),開辟新型半導(dǎo)體道路,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,推動(dòng)“中國(guó)芯”發(fā)展
論壇亮點(diǎn):推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研合作,科研指導(dǎo)產(chǎn)業(yè)方向、產(chǎn)業(yè)加速科研進(jìn)展,相輔相成
四、特色活動(dòng)
碳基芯片國(guó)產(chǎn)化內(nèi)部研討會(huì)
參考話題:(不局限于如下話題)
需求對(duì)接:需求發(fā)布,意向采購,對(duì)接技術(shù)與企業(yè),促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研交流合作
墻報(bào)展示:墻報(bào)尺寸80cm寬×120cm高,分辨率大于300dpi
特色展位:相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品、設(shè)備展示
參考話題
(不局限以下話題)
(一) 碳基納米材料半導(dǎo)體與器件
1、碳基CMOS晶體管和集成電路的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)
2、高純度、半導(dǎo)體超長(zhǎng)碳納米管的控制制備、分離及器件應(yīng)用
3、大面積均勻的CNT陣列薄膜的批量化制備
4、單壁碳納米管選擇性生長(zhǎng)的機(jī)制研究
5、基于陣列碳納米管的射頻晶體管器件
6、石墨烯晶圓的規(guī)模制備與應(yīng)用探索
7、石墨烯拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)調(diào)整與半導(dǎo)體器件
8、石墨烯超窄納米帶金屬線與封裝散熱
9、石墨烯太赫茲器件、石墨烯高性能射頻晶體管
10、石墨烯在柔性電子器件、優(yōu)化芯片散熱、三維集成電路、更小尺寸芯片等應(yīng)用
11、原子級(jí)規(guī)整結(jié)構(gòu)的全碳電子器件的制備技術(shù)
12、高性能納米碳基電子器件產(chǎn)業(yè)化探索
……
(二) (超)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件
1、新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存
2、新型寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用
3、SiC大尺寸襯底、外延生長(zhǎng)工藝、技術(shù)進(jìn)展與趨勢(shì)
4、SiC、金剛石大單晶設(shè)備的制造技術(shù)及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程
5、碳化硅高壓功率器件制造關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)分析
5、金剛石大單晶、晶圓的制備
6、半導(dǎo)體金剛石光電性質(zhì)研究與器件、寬禁帶半導(dǎo)體光電器件
金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件
7、SiC/金剛石襯底與GaN器件結(jié)合應(yīng)用拓展
8、碳基半導(dǎo)體在5G芯片、微波、功率器件、射頻電子器件等方面的應(yīng)用
9、金剛石量子芯片材料和器件技術(shù)
10、碳基芯片散熱器件與電子封裝
11、金剛石在半導(dǎo)體激光器中的應(yīng)用
12、CVD金剛石熱沉封裝高功率半導(dǎo)體激光器
……
(三)碳基器件與柔性電子
1、碳基芯片
2、碳基信息存儲(chǔ)
3、納米碳基柔性能量轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)存器件
4、碳基人工視覺傳感陣列
5、碳基混合光電子器件
6、碳基超快光電子學(xué)
7、碳基柔性電子材料與高性能器件
8、柔性印刷碳基電子器件和電路
9、全印刷制備柔性薄膜晶體管陣列技術(shù)
10、5G時(shí)代柔性線路板的發(fā)展趨勢(shì)
11、柔性薄膜與傳感器
12、碳基柔性可穿戴電子材料與設(shè)備
13、碳基柔性電子技術(shù)與集成智能傳感
……
(四)先進(jìn)封裝技術(shù)與先進(jìn)測(cè)量技術(shù)
1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵技術(shù)
2、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)封裝領(lǐng)域材料和解決方案
3、第三代半導(dǎo)體封裝模組技術(shù)及相關(guān)應(yīng)用
4、三維集成電路工藝
5、3D封裝、SIP技術(shù)
6、半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)及設(shè)備
7、半導(dǎo)體微納加工
8、半導(dǎo)體襯底切割、研磨、拋光、清洗等關(guān)鍵技術(shù)與裝備
……
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