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晶圓平坦設(shè)備 磨平機

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參   考   價: 1000000

訂  貨  量: ≥1  件

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號4001500108

品       牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地蘇州市

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更新時間:2021-02-05 14:01:39瀏覽次數(shù):740次

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經(jīng)營模式:代理商

商鋪產(chǎn)品:47條

所在地區(qū):江蘇蘇州市

聯(lián)系人:魏先生 (經(jīng)理)

產(chǎn)品簡介

超薄晶圓平坦化加工夾持的方法與流程。目前國外對于LT薄片加工的方法為雙面拋光后進(jìn)行單面粗化來達(dá)到制程應(yīng)用的需求,但此種工藝需對晶片進(jìn)行雙面拋光加工,加工時間與成本上升許多,且難以保證單面粗化的過程對于晶片另一表面不會造成損傷。

詳細(xì)介紹

 超薄晶圓平坦化加工夾持的方法與流程。目前國外對于LT薄片加工的方法為雙面拋光后進(jìn)行單面粗化來達(dá)到制程應(yīng)用的需求,但此種工藝需對晶片進(jìn)行雙面拋光加工,加工時間與成本上升許多,且難以保證單面粗化的過程對于晶片另一表面不會造成損傷。

  國內(nèi)另有一種現(xiàn)有工法為單面拋光制程,該制程利用上蠟或者吸附墊方式將晶片固定住,然而此作法做出來的晶片平坦度水準(zhǔn)較雙拋工藝差,常常造成后段黃光微影制程的困擾,致使晶片表現(xiàn)不佳亦或是短路。

  雙拋工藝受限夾治具的剛性強度要求,晶片越往薄化發(fā)展代表對應(yīng)的夾具需要更薄,此時夾具剛性已無法提供穩(wěn)定的加工保證,其時成品率將大幅降低或者加工成本會大幅上升。

  使用上蠟將晶片固定的作法也容易因為上下蠟制程普遍需要升溫或降溫促使身為壓電材料的LT發(fā)生破碎,尤其是晶片厚度較薄時。

  使用吸附墊方式將晶片固定的作法也無法將晶片做薄,主要原因為LT晶片材質(zhì)易碎薄化過程中背面使用軟的吸附墊晶片容易造成形變發(fā)生碎片。

  上述的幾項傳統(tǒng)加工工藝無法達(dá)到LT晶片厚度<200um,且平坦度在5mm2<0.5um,PLTV>95%穩(wěn)定產(chǎn)品品質(zhì)要求,為此,我們提出一種超薄晶圓平坦化加工夾持的方法。

友碩ELT晶圓平坦化設(shè)備:

  ?很好的螢光膜涂佈方案,精準(zhǔn)控制厚度,達(dá)到理想中BIN率

  ?很具價格競爭性的CSP製程

  ?輕易實現(xiàn)MiniLED 拼接問題

  ?解決MicroLED Mass Transfer 良率問題

  ?LED 偏黃報廢品重工

  ?實踐各種結(jié)構(gòu)的可行性 (阻水結(jié)構(gòu)、Bump結(jié)構(gòu))

  ?解決料帶靜電吸附的問題

晶圓平臺化設(shè)備


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